传三星电子 12Hi HBM4E 内存已通过英伟达等主要客户质量验证测试

三星电子此前在今年5月实现了12HiHBM4E产品的出样。其结合了1cnmDRAMDie与4nmLogicDie，单堆栈容量达48GB，支持14~16Gbps引脚速率，实现16%能效提升、14%热阻改进。三星电子官方回应称“无法确认”其12层HBM4E产品是否已通过客户质量验证。