三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

感谢亚汇网网友业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：使用台积电3纳米工艺制造基底裸片。英伟达同时要求，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。亚汇网从报道获悉，英伟达提出这一要求，是因为各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能。标准化也能减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（DeviceSolutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求。报道提到，对于标准HBM产品，三星仍会保留一站式全包生产策略。今年三星全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证；这两款产品的基底裸片都采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片则在三星华城、平泽厂区的1c产线生产。面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案。同时三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性。一位业内人士表示：“三星正在验证，能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片。这是一项预案，防止NVHBM需求超出台积电产能上限。”