Counterpoint：三季度全球 DRAM 营收逼近 2000 亿美元，同比大增 369% 实现超级周期

CounterpointResearch指出，此轮DRAM市场增长主要由价格上涨推动，而非出货量大幅增加。当季DRAM单位出货量环比仅增长约4%，每Gb平均售价则达到1.9美元。高级分析师JeongkuChoi表示，本轮行情属于价格推动的超级周期，而不是出货量周期。“AI已经将内存从普通大宗商品转变为高价值稀缺资源，买家当前的核心动作是争抢供应而非议价，在价格持续上涨的背景下，存储厂商下一季度将再创新的盈利纪录。”分厂商来看，三星电子以38%的市场份额稳居DRAM市场第一；SK海力士环比营收增长超过40%，大幅缩小与三星的差距，追回了今年早些时候丢失的部分市场份额；美光受AI数据中心内存需求拉动同样表现强劲，但增速落后于三星与SK海力士；长鑫存储的市场份额从二季度的10%下滑至三季度的9%，随着竞争对手从四季度开始出货溢价更高的HBM4产品，长鑫存储的份额预计将持续承压。从产品结构来看，HBM营收几乎翻倍，但其在DRAM总营收中的占比反而下降，原因是传统DRAM产品增长更快。CounterpointResearch研究总监MSHwang表示，随着新一代HBM产品陆续推出，厂商之间的竞争格局也在变化。SK海力士此前在HBM3E市场占据优势，而三星HBM4获得客户积极反馈。他预计，三星有望在明年成为HBM市场份额最高的厂商。传统DRAM的需求增长也与AI基础设施变化有关。CounterpointResearch副总监BradyWang表示，AI智能体推动了传统DRAM需求增长。CounterpointResearch云端AI算力追踪数据显示，GPU与CPU的配比已从4:1缩小至2:1，并呈现进一步向1:1靠拢的趋势。以英伟达VeraRubin机架为例，其每颗CPU插槽搭载的DRAM容量增至1.5TB，接近上一代产品的3倍。BradyWang还指出，DDR和LPDDR的平均售价均升至历史高位，相关产品营收同比分别增长500%和接近400%。随着服务器CPU用量增加，传统DRAM的需求预计还将继续增长，并可能进一步推高明年的每Gb平均售价，同时给边缘设备市场带来成本压力。MSHwang同时补充道，“内存价格在明年将保持强势，今年涨幅落后于通用DRAM的HBM价格目前正在追赶，长期协议（LTA）对价格形成支撑，且由于主要新晶圆厂要到2028年才会投产，供应将持续偏紧，短期各家厂商的业绩会因LTA条款存在差异，但长期来看都会保持向上走势。”对于后续走势，MSHwang表示，内存价格明年仍有望保持强势。此前涨幅相对滞后的HBM价格正在追赶传统DRAM，长期供货协议也为价格提供支撑。此外，主要厂商的新晶圆厂预计要到2028年才会开始投产，供应紧张局面或将延续。“海量需求推动DDR、LPDDR的平均售价创下历史新高，二者营收同比分别增长500%、近400%。我们观测到服务器CPU相关内存消耗正在显著提升，这将进一步推高明年每Gb的均价，同时给终端市场带来压力。”