SK 海力士推出 3D FeNAND 技术，瞄准 AI 计算

据介绍，A-CiM可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算（亚汇网注：MAC），减少数据搬运、提升处理速度和能效。3DFeNAND则利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流。对比之下，传统3DNAND采用电荷俘获氮化物（CTN）结构，将电子捕获在氮化物层中。铁电材料的特点是，即使外部电场消失，其内部极化状态仍能保持。SK海力士表示，FeNAND可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据。