SK 海力士拟在美新建 NAND 工厂，换取为中国工厂引进更多美国设备的机会

两名知情人士透露，SK海力士希望通过提升中国工厂的产能，为美国新工厂提供资金支持，并逐步扩大其在美国的生产布局。美国政府正推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂，以提升美国本土制造能力并创造就业岗位。与此同时，人工智能和云计算数据中心需求增长，全球存储芯片供应趋紧，NAND闪存价格持续上涨，也促使相关厂商考虑扩大生产。据路透社报道，SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在中国大连工厂尚未充分利用的厂房区域安装更多设备，用于生产NAND闪存。据介绍，大连工厂使用的半导体设备来自美国厂商，包括泛林集团（LamResearch）、应用材料（AppliedMaterials）和科磊（KLA）。相关厂区名为ModB，于2023年建成，但由于当时存储市场低迷，设备安装工作未能完成。知情人士称，该区域目前已经安装了部分设备，仍有空间容纳更多生产工具。Solidigm已申请出口许可证，希望采购额外设备用于该区域。SK海力士向路透社表示，ModB的设备安装工作正在与美国政府密切协商、并在获得授权的情况下进行。该公司同时强调，目前并未寻求扩大大连ModB的产能。Solidigm则拒绝对此事置评。路透社此前于9月报道称，Solidigm正考虑在美国建设NAND闪存工厂，纽约州北部是当时的主要候选地点之一。知情人士表示，如果大连工厂能够提高产量，新增业务收入将有助于支付美国新工厂的建设费用，并为未来扩大美国本土生产提供过渡。另一名知情人士还透露，Solidigm正考虑最早于2027年进行首次公开募股（IPO），以筹集可能用于新工厂建设的资金。除美国新建NAND工厂的计划外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其位于俄亥俄州、规划已久的半导体制造设施的部分空间。该公司也已在印第安纳州启动一座先进封装工厂的建设，主要面向高带宽内存（HBM）产品。