SK 海力士回应“考虑委托英特尔制造 HBM 内存基础裸片”报道：部分内容不实

报道宣称英特尔代工(IntelFoundry)最早有望在HBM4E世代加入，结束台积电(TSMC)独占这部分订单的局面。从HBM1到HBM3E，与DRAMDie同款的存储半导体工艺即可满足BaseDie逻辑电路的需求。而随着复杂度和PPA要求的提升，SK海力士从HBM4开始将BaseDie切换为逻辑半导体工艺，据悉其在HBM4上使用了台积电的12nm制程。报道援引的消息人士表示，台积电BaseDie报价显著高于SK海力士自产DRAMDie的成本，英特尔代工成为第二供应商将提升SK海力士在与台积电谈判时的议价能力。SK海力士回应称“难以确认有关本公司技术路线图的内容”，“部分内容与事实不符”。