英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆

这一创举基于奥地利Villach晶圆厂的现有硅(Si)半导体制造设备，显示了大尺寸碳化硅晶圆在商业化上的实际潜力。英飞凌将与客户和合作伙伴密切合作规划12英寸SiC技术及量产时机，同时进一步推进其200mmSiC制造路线图。此外，英飞凌还在其德国德累斯顿工厂验证了其冷分片技术在12英寸SiC上的可行性。这一工艺可提升晶锭到晶圆工艺的效率，同时减少加工损耗。