三星电子：2027 年 HBM 产能售罄，预计整体内存供应将在 2028 年维持紧张

三星电子在2026Q3的DRAM和NAND出货容量均上涨个位数百分点，ASP则分别增长20%和近10%；企业预计2026Q4的DRAM出货容量将增长15~20%，NAND则增长15%左右。存储半导体市场整体仍供大于求，高管特别提到收到了大量QLC需求。三星存储器业务已与10家客户签署LTA，正与另外10家就多年期合同进行洽谈。随着对这一协议形式感兴趣的用户扩展到移动、汽车、网络领域，三星正稳步推进通过多年期合同锁定60~70%产出的计划。客户对滚动续签的需求远超预计，有些客户希望在协议期内追加供应。在HBM方面，三星电子已提前实现细分市占齐平整体DRAM市占的目标。其HBM4销售额在Q3环比增长超3倍，已占到HBM总营收的60%。此外，三星晶圆代工计划加大对韩美晶圆厂的投资，希望同步建设先进封装产能，正就建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估。该业务预计8nm以下节点的产能利用率将突破100%